主要性能指标

型号：FEI Titan Cubed G2 300

安装时间：2017年5月

安放地点：清华大学工物馆

STEM/HAADF分辨率：0.06 nm（300kV）、0.13 nm （60kV）

TEM极限分辨率：0.056 nm（300kV）、0.10 nm （60kV）

探测器：四个探头（HAADF、DF2、DF2、BF）

加速电压：30kV、60kV、120kV、300kV

附件：

CMOS相机，像素≥4Kx4K，动态范围≥16bit，单像素尺寸≥14um x 14um;

可同时采集STEM图像，EDS能谱，并进行面分布分析，并可进行STEM图像和EDS面分布结果的实时校准。

仪器特点：极大的物镜极靴（5.4mm）、四探头的超级能谱及适合不同测试样品的加速电压。

样品范围：催化剂、电池材料、纳米材料的微观形貌表征、结构和微区成分分析、磁性材料磁畴的观测及原位实验（包括原位热电和三维重构）。